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晶粒邊界到晶粒的電位陡降發(fā)生在≈５０￣１００ｎｍ　的距離內(nèi)，稱為耗盡層。這樣， 在每個晶粒邊界處都存在晶粒邊界向兩側(cè)延展入相鄰晶粒 的耗盡層。晶粒間存在耗盡層提高了壓敏電阻的作用。 晶粒邊界兩側(cè)兩個耗盡層的存在，使得　 ＺｎＯ　 壓敏電 阻對極性變化不敏感。在這一方面，壓敏電阻像一個背對 背的二極管。進一步說，由于晶粒邊界附近區(qū)域的電子被 耗盡，當施加外電壓時，跨在晶粒邊界上出現(xiàn)一電壓降。 這被稱作勢壘電勢，一般是≈２￣４Ｖ／（每晶粒邊界）。

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ZnO壓敏電阻器的限壓原理：

VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV)，其中VS為浪涌電壓，Zsourc為浪涌電壓源的阻抗，如傳輸線的電阻或線圈的電感等，ZSIOV

為ZnO壓敏電阻器在某電流下的電阻。浪涌電壓源的阻抗往往被低估，因浪涌電流包含許多KHz—MHz的交流成分，其阻抗比低頻時大得多。

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ZnO壓敏電阻器是一類電阻值與外加電壓成顯著的非線性關(guān)系的半導(dǎo)體陶瓷，其U-I特性關(guān)系式:

                                                           I=(U/C)α

ZnO壓敏電阻器常用的性能參數(shù)有壓敏電壓漏電流、非線性系數(shù)、通流值、能量耐量、限制電壓比等，其中壓敏電壓、漏電流、非線性系數(shù)表示了壓敏電阻器的小電流特性，通流值、能量耐量、限制電壓比則表示的是峰值電流特性。

此外，表征壓敏元件性能參數(shù)還有電壓溫度系數(shù)，固有電容等。

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